Исследование квантово-размерных гетероструктур In(Ga)As/GaAs методами фотоэлектрической спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии

Учебно-методическое пособие. — Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2012. — 39 с.В пособии описаны фотоэлектрические методы диагностики энергетического спектра гетеронаноструктур с квантовыми ямами (КЯ) и точками (КТ) типа In(Ga)As/GaAs и их оптоэлектронных свойств. Рассмотрены физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантово-размерных объектов. Обсуждаются закономерности влияния температуры и электрического поля на эмиссию неравновесных носителей из КЯ и КТ. Описан метод просвечивающей электронной микроскопии на поперечном срезе, позволяющий исследовать структурные свойства квантово-размерных слоев. Значительное внимание уделено исследованию структур, перспективных для создания приборов спинтроники.
Электронное учебно-методическое пособие предназначено для студентов старших курсов, специализирующихся по направлениям 210600 – "Нанотехнология в электронике", 210100 – "Электроника и наноэлектроника", а также для аспирантов ННГУ, обучающихся по основной профессиональной образовательной программе аспирантуры 01.04.10 – Физика полупроводников.Список основных сокращений и обозначений
Введение
Структуры с квантовыми ямами
Структуры с квантовыми точками
Методы получения КРС
Фотоэлектрическая диагностика КРС
Фоточувствительность КРC и ее зависимость от температуры и электрического поля
Диагностика КРС с Mn
Влияние встраивания дельта-слоя Mn на спектры фоточувствительности от структур с одиночной КЯ InGaAs/GaAs
Влияние встраивания дельта-слоя Mn на спектр фоточувствительности от структур с тремя КЯ InGaAs/GaAs
Метод просвечивающей электронной микроскопии
Исследование структуры с комбинированным слоем КТ/КЯ и дельта-слоем Mn
Литература